Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP50R199CPHKSA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP50R199CPHKSA1
IPP50R199CPHKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP50R199CPHKSA1, N-channel MOSFET transistördür. 550V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 pakette sunulan bu transistör, güç uygulamalarında switch elemanı olarak kullanılır. Maksimum 139W güç tüketebilen cihaz, -55°C ile 150°C arasında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 10V gate sürücü geriliminde 199mΩ on-state direnci ile verimli anahtarlama gerçekleştirir. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, AC/DC konvertörleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün Digi-Key'de üretimden kaldırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok