Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP50R190CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP50R190CEXKSA1
IPP50R190CEXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies IPP50R190CEXKSA1, 500V drain-source gerilimi ve 18.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 190mOhm maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 127W maksimum güç dağıtabilecek tasarımı, endüstriyel ve ticari güç elektroniği devrelerinde, AC/DC konverterlerinde, motor kontrol ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1137 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 127W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 6.2A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 510µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok