Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP50R140CPXKSA1

MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP50R140CP

IPP50R140CPXKSA1 Hakkında

IPP50R140CPXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 550V drain-source gerilimi ve 23A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 140mΩ maksimum ON direnci ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Yüksek gerilim güç kaynakları, motor sürücüleri, inverter devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında çalışabilmesi geniş uygulama yelpazesine imkan tanır. Maksimum 192W güç dağıtabilme kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 550 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2540 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 930µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok