Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP50N10S3L16AKSA1

MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP50N10S3L16AKSA1

IPP50N10S3L16AKSA1 Hakkında

IPP50N10S3L16AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kontrol uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak çalışır. 10V gate geriliminde 15.7mΩ on-resistance değeri ile verimlı anahtarlama sağlar. Gate charge değeri 64nC ile hızlı devreye alma/çıkarmaya uyumludur. İnverter, motor sürücüsü, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Maksimum 100W güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4180 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.7mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 60µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok