Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP50CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 20A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP50CN10NGXKSA1
IPP50CN10NGXKSA1 Hakkında
IPP50CN10NGXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50mOhm (10V, 20A'da) on-state direnci ile düşük kayıp sağlar. TO-220-3 paket formatında gelen bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 44W maksimum güç dağıtımı kapasitesi bulunmaktadır. Motor kontrolü, güç kaynakları, inverter ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Cihaz üretim tarihi itibariyle obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1090 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok