Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP410N30NAKSA1
MOSFET N-CH 300V 44A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP410N30NA
IPP410N30NAKSA1 Hakkında
IPP410N30NAKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 300V drain-source gerilim ve 44A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 41mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 300W'a kadar güç tüketebilir. 10V kapı gerilimi ile drive edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7180 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 44A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok