Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP35CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP35CN10NGXKSA1
IPP35CN10NGXKSA1 Hakkında
IPP35CN10NGXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 27A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 35mΩ on-resistance değeri ile düşük ısıl kayıplar sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 27A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 29µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok