Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP330P10NMAKSA1
TRENCH >=100V PG-TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP330P10N
IPP330P10NMAKSA1 Hakkında
IPP330P10NMAKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile medium voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, Trench teknolojisi ile düşük on-resistance (33mOhm @ 10V) sağlar. 6.9A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle ve geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) stabilite gösterir. Güç anahtarlaması, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve aydınlatma uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montajı ile standart PCB'lere doğrudan entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Ta), 62A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 236 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 53A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 5.55mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok