Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP320N20N3GXKSA1

MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP320N20N3

IPP320N20N3GXKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPP320N20N3GXKSA1, 200V drain-source voltajında çalışabilen N-Channel MOSFET transistördür. 34A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 32mΩ on-state direnci ve 29nC gate charge karakteristiği ile, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri, şarj cihazları ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde yer alır. TO-220-3 paketleme standart soğutma uygulamaları için tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, çeşitli ortam koşullarında kullanımını mümkün kılar. ±20V gate-source voltaj kapasitesi ile gelişmiş kontrol kolaylığı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 34A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok