Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP26CN10NGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP26CN10
IPP26CN10NGHKSA1 Hakkında
IPP26CN10NGHKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj aralığında 35A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 26mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, şarj devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Gate charge değeri 31nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Bileşen Obsolete durumunda olup, alternatif parçalar incelenmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2070 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 39µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok