Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP230N06L3G

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP230N06L3G

IPP230N06L3G Hakkında

IPP230N06L3G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 30A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 23mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük direnç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörler ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 36W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 11µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok