Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP200N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP200N25N3
IPP200N25N3GXKSA1 Hakkında
IPP200N25N3GXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilim (Vdss) ve 64A sürekli drain akımı kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 20mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde gelen bu transistör, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanıma uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 300W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 64A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 64A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok