Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP200N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP200N15N3G
IPP200N15N3GXKSA1 Hakkında
IPP200N15N3GXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj aralığında 50A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 20mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında güvenli çalışır ve 150W güç tüketebilir. Gate charge özelliği 31nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Endüstriyel kontrol devreler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve genel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1820 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok