Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP180N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP180N10N3
IPP180N10N3GXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP180N10N3GXKSA1, 100V Drain-Source gerilim kapasitesiyle çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. 43A sürekli dren akımı ve 18mΩ RDS(on) değeriyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 25nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen transistör, 71W maksimum güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 33A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok