Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP16CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP16CN10NG
IPP16CN10NGXKSA1 Hakkında
IPP16CN10NGXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 53A sürekli drain akımı (Id) ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 16.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. TO-220-3 paket formatında sunulan komponent, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel elektronik cihazlarda yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 100W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir ve 10V gate sürücü voltajında optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3220 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 53A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok