Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP16CN10NGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP16CN10NGHKSA1
IPP16CN10NGHKSA1 Hakkında
IPP16CN10NGHKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj aralığında çalışabilir ve 25°C'de sürekli 53A drain akımı sağlayabilir. 10V gate voltajında 16.5mOhm on-resistance değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde montajlanan bu transistör, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında işletilmek üzere tasarlanmıştır. Endüstriyel uygulamalar, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılan bu bileşen, 100W maksimum güç tüketimi özelliğine sahiptir. Gate charge değeri 48nC olup, hızlı komütasyon işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3220 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 53A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok