Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP16CN10LGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP16CN10LGXKSA1
IPP16CN10LGXKSA1 Hakkında
IPP16CN10LGXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 54A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket türünde sunulan bu komponent, güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 15.7mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışmaya dayanıklıdır. Motor kontrol, güç kaynakları, inverter devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. Komponent üretimden kaldırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 54A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4190 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.7mOhm @ 54A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 61µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok