Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP147N12N3G
MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP147N12N3G
IPP147N12N3G Hakkında
IPP147N12N3G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 120V drain-source gerilimi ve 56A sürekli drenaj akımı ile endüstriyel ve güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 14.7mOhm'luk düşük RDS(on) değeri sayesinde enerji kaybını minimize eder. Anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışan cihaz, 107W'a kadar güç dağıtabilir ve 49nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3220 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.7mOhm @ 56A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok