Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP13N03LB G
MOSFET N-CH 30V 30A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP13N03LB
IPP13N03LB G Hakkında
IPP13N03LB G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 12.8mOhm RDS(on) değeri ile düşük kaybı sağlar. TO-220-3 paket içinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, şarj cihazları ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 10V gate geriliminde optimize edilmiş performans gösterir. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük gate charge değeri (10nC @ 5V) ile verimli kontrol devrelerine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1355 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok