Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP139N08N3G

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP139N08N3G

IPP139N08N3G Hakkında

IPP139N08N3G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ile 45A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 13.9 mOhm maksimum on-resistance değeri ile verimliliği artırırken, 79W güç dissipasyonu kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanıma uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu MOSFET, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 25 nC gate charge ve 1730 pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemlerini destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1730 pF @ 40 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 33µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok