Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP12CN10N
IPP12CN10N G Hakkında
IPP12CN10N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj (Vdss) kapasitesiyle 67A sürekli dren akımı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 12.9mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayan transistör, -55°C ile +175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. 125W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. Obsolete statüsüne geçmiş olup, yeni tasarımlarda güncel alternatifler incelenmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 67A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4320 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.9mOhm @ 67A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok