Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP12CN10LGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP12CN10
IPP12CN10LGXKSA1 Hakkında
IPP12CN10LGXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında 69A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında güvenli şekilde çalışabilmektedir. 12mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Endüstriyel uygulamalar, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç kaynakları gibi alanlarda yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'lere doğrudan yerleştirilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 69A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 69A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 83µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok