Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP129N10NF2SAKMA1

TRENCH >=100V

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP129N10NF2

IPP129N10NF2SAKMA1 Hakkında

IPP129N10NF2SAKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paket içinde sunulan bu bileşen, TRENCH teknolojisi ile tasarlanmıştır. Maksimum 12A (Ta) ve 52A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 12.9mΩ (10V, 30A) On-direnci ile düşük ısı kaybı sağlar. 28nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç elektroniği uygulamalarında, motor sürücülerinde, anahtarlı güç kaynakları tasarımında ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. TO-220 monte etme şekli, minimum ısı yönetimi gereksinimleri olan uygulamalar için elverişlidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.9mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 30µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok