Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP126N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP126N10N3
IPP126N10N3GXKSA1 Hakkında
IPP126N10N3GXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel power MOSFET'tir. 100V drain-source gerilim ve 58A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 12.3mΩ on-state direnç (RDS(on)) ile düşük kayıp özellikleri sunar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 94W güç dağıtımı kapasitesi vardır. ±20V gate-source gerilim toleransı ve düşük gate charge karakteristiği (35nC @ 10V) ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 46A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok