Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP120N20NFDAKSA1

MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP120N20NFD

IPP120N20NFDAKSA1 Hakkında

IPP120N20NFDAKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim ile 84A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket formatında sunulan bu bileşen, 12mOhm On-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında ve maksimum 300W güç tüketimi karakteristiğiyle güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama hızı ve sürücü gerilimi özellikleriyle endüstriyel denetim devreleri, güç kaynakları ve motor sürücü sistemlerinde yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 84A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6650 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 84A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok