Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP120N10S405AKSA1

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP120N10S405

IPP120N10S405AKSA1 Hakkında

IPP120N10S405AKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source voltaj değeri ve 120A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, 5.3mΩ maksimum Rds(On) değeri sayesinde düşük ısı kaybı ile çalışır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilen bir bileşendir. 190W maksimum güç disipasyonu ile yüksek güç yönetimi gereksinimi olan devrelerde uygulanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6540 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 120µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok