Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP120N06NGAKSA1

MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP120N06NGA

IPP120N06NGAKSA1 Hakkında

IPP120N06NGAKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajında 75A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolü devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve yüksek akımlı anahtarlama sistemlerinde kullanılmaktadır. TO-220-3 paketinde sunulan komponen, 10V kapı sürüş voltajında 12mOhm düşük açık direnç (Rds On) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışır ve 158W maksimum güç yayılımı yapabilir. 62nC gate charge ve 2100pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Endüstriyel ve otomotiv uygulamaları başta olmak üzere çeşitli güç kontrol sistemlerinde tercih edilen bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 94µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok