Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP120N04S402AKSA1

MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP120N04S402A

IPP120N04S402AKSA1 Hakkında

IPP120N04S402AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Vdss ile 120A sürekli drain akımı sağlayabilir. TO-220-3 paketinde sağlanan bu bileşen, 10V gate gerilimi uygulandığında 2.1mΩ Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Gate charge karakteristiği 134nC olup, hızlı anahtarlama performansı gerekli olan uygulamalarda tercih edilir. 158W maksimum güç dağıtım kapasitesi sayesinde endüstriyel seviye kontrol ve yüksek akım uygulamalarında güvenilir çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10740 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 110µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok