Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP120N04S302AKSA1

MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP120N04S302

IPP120N04S302AKSA1 Hakkında

IPP120N04S302AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 120A sürekli drenaj akımı özelliğine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılmaktadır. Maksimum 2.3mΩ üzerinde düşük on-direnci, yüksek frekanslı DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 300W güç dağılım kapasitesi ile çeşitli endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 230µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok