Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP114N12N3GXKSA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP114N12N3
IPP114N12N3GXKSA1 Hakkında
IPP114N12N3GXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 120V dren-kaynak gerilimi ve 75A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 11.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük konakta direnci sağlayarak enerji kaybını minimize eder. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 136W maksimum güç tüketimini destekler. Motor kontrolleri, güç kaynakları, invertörler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4310 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok