Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP114N03LG
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP114N03LG
IPP114N03LG Hakkında
IPP114N03LG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, düşük on-state direnci (11.4mOhm @ 30A, 10V) ile verimli güç iletimini sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen IPP114N03LG, 38W maksimum güç dağılımı kapasitesine ve düşük gate charge değerine (14nC) sahiptir. Hızlı anahtarlamaya ve düşük kondüktans kaybına ihtiyaç duyulan endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok