Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP114N03L G

MOSFET N-CH 30V 30A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP114N03L

IPP114N03L G Hakkında

IPP114N03L G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, düşük Rds On değeri (11.4mΩ @ 30A, 10V) sayesinde enerji verimliliği sağlar. Güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve anahtar devrelerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Gate charge değeri 14nC olup, hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Bileşen şu anda üretim dışıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.4mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok