Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP111N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP111N15N3G
IPP111N15N3GXKSA1 Hakkında
IPP111N15N3GXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 83A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 11.1mΩ (10V, 83A koşullarında) düşük on-direnç değeri ile enerji kaybını azaltır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Endüstriyel sürücüler, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Gate şarj değeri 55nC olup, hızlı anahtarlama işlemlerine izin verir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 83A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3230 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 83A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 160µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok