Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP110N20NAAKSA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP110N20NAA
IPP110N20NAAKSA1 Hakkında
IPP110N20NAAKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel power MOSFET'tir. 200V drain-source voltaj kapasitesiyle 88A sürekli drain akımını destekleyen bu transistör, 10.7mOhm düşük RDS(on) direnci sayesinde anahtarlama uygulamalarında yüksek verimlilik sağlar. TO-220-3 paketlemesiyle endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen komponentin maksimum 300W güç tüketme kapasitesi vardır. 10V gate sürüş voltajında optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 88A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.7mOhm @ 88A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok