Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP110N20N3GXKSA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP110N20N3
IPP110N20N3GXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP110N20N3GXKSA1, N-channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltaj ve 88A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 11mΩ on-state direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 kılıfında sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), inverter devreleri ve diğer yüksek akımı anahtarlayan endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 300W maksimum güç saçabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 88A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 88A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok