Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP100N08S207AKSA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP100N08S207
IPP100N08S207AKSA1 Hakkında
IPP100N08S207AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 75V drain-source gerilimi ve 100A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 7.1mOhm maksimum on-direnci (Rds On) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 300W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Gate charge değeri 200nC olup, 10V sürücü gerilimi ile optimum performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok