Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP100N08N3GXKSA1

MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP100N08N3G

IPP100N08N3GXKSA1 Hakkında

IPP100N08N3GXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltajında 70A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, düşük 10mΩ on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar. Endüstriyel motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç amplifikatörleri ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu MOSFET, 100W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir ve hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 40 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 46A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 46µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok