Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP100N06S3L-04

MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP100N06S3L

IPP100N06S3L-04 Hakkında

IPP100N06S3L-04, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, motor kontrolünde, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında yer alır. 3.8mOhm düşük RDS(on) değeri ve 214W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek verimli devre tasarımlarına olanak tanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük kapasitans değerleri ile yüksek frekanslı uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 362 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 17270 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok