Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP100N06S3-04

MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP100N06S3

IPP100N06S3-04 Hakkında

IPP100N06S3-04, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında tercih edilir. 4.4mΩ (80A, 10V) düşük on-direnç değeri ile ısıl kaybı minimumda tutar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 214W güç atabilmektedir. Gate eşik gerilimi 4V olup, ±20V maksimum gate gerilimi toleransı vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 314 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14230 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok