Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP100N06S3-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP100N06S3
IPP100N06S3-03 Hakkında
IPP100N06S3-03, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilim, 100A sürekli drain akımı ve 3.3mOhm (10V, 80A'de) RDS(on) değeri ile düşük dirençli güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarda sıkça tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ile çeşitli ortamlarda güvenilir performans sağlar. 300W maksimum güç yayınımı kapasitesi ve 480nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 480 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21620 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 230µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok