Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP100N06S205AKSA1

MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP100N06S205

IPP100N06S205AKSA1 Hakkında

IPP100N06S205AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V Drain-Source voltajında 100A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 5mΩ (80A, 10V) düşük on-direnci sayesinde ısı kaybı minimuma indirilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol, motor sürücü devreleri ve elektrik güç dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 170nC gate charge ve hızlı switching karakteristiği ile yüksek frekanslı uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5110 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok