Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP100N04S303AKSA1

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP100N04S303

IPP100N04S303AKSA1 Hakkında

IPP100N04S303AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 100A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipi ile gücü yönetim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 2.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıplar sağlar. Güç kaynakları, motor kontrolü, çevirici devreleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir. 214W maksimum güç tüketimi ile sürekli ve yüksek akım uygulamalarında yer alabilir. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 175°C arasındadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok