Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP100N04S204AKSA2

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP100N04S204

IPP100N04S204AKSA2 Hakkında

IPP100N04S204AKSA2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 40V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. 3.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 300W maksimum güç kayıplandırma kapasitesi ile endüstriyel uygulamalar, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 172nC gate charge ve 5300pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarım sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok