Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP09N03LA
IPP09N03LA Hakkında
IPP09N03LA, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 25V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 9.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük konduktif kayıplar sağlar. Gate charge değeri 13nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Bileşen üretimden kaldırılmış olup, yerli tedarikçi listelerinden temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1642 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok