Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP096N03L G

MOSFET N-CH 30V 35A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP096N03L

IPP096N03L G Hakkında

IPP096N03L G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç kaybı uygulamalarında kullanılır. Maksimum 9.6mOhm RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve yük anahtarlaması gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok