Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP08CNE8NG
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP08CNE8NG
IPP08CNE8NG Hakkında
IPP08CNE8NG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 85V drain-source gerilimi ve 95A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 6.4mΩ maksimum on-direnci sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve elektrik çevirici uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 167W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 95A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 85 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 99 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6690 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 95A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok