Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP08CN10N G
MOSFET N-CH 100V 95A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP08CN10N
IPP08CN10N G Hakkında
IPP08CN10N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 95A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8.5mΩ maksimum on-state direnci ile güç uygulamalarında düşük ısı kaybı sağlar. TO-220-3 paket tipiyle montajı kolaydır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenli işletim sunmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç dönüştürücüleri ve endüstriyel elektronik devrelerde kullanılır. 167W maksimum güç dağıtma kapasitesi ve hızlı anahtarlama özellikleri ile verimli tasarımlar sağlar. Cihazın üretimi durdurulmuş olup, yedek parça ihtiyaçları için stok takibi önemlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 95A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6660 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 95A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok