Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP08CN10L G
MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP08CN10L
IPP08CN10L G Hakkında
IPP08CN10L G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ve 98A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8mΩ on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-220-3 paket tipinde üretilen bu komponent, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 2.4V threshold voltajı ile TTL/CMOS lojik seviyeleriyle uyumludur. Maximum 167W güç tüketim kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 98A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8610 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 98A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok