Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP086N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP086N10N3
IPP086N10N3GXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP086N10N3GXKSA1, 100V drain-source gerilim kapasitesiyle tasarlanmış bir N-Channel güç MOSFET'idir. 80A sürekli drain akımı ve 8.6mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değerleriyle düşük kayıp uygulamalara uygundur. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 125W güç hızına kadar destekler. Gate charge değeri 55nC olup, 10V gate sürücü gerilimi ile kontrol edilir. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüler, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3980 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 73A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok