Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP086N10N3GHKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP086N10N3
IPP086N10N3GHKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP086N10N3GHKSA1, N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 80A sürekli akım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, elektrik araçlar ve endüstriyel kontrol sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. 8.6mOhm düşük on-state direnci, ısıl yönetim ve enerji verimliliği açısından avantaj sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Maksimum 125W güç tüketimine sahiptir. Gate charge karakteristiği (55nC @ 10V) hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3980 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 73A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok